MOSFET-Relais bieten hohe Empfindlichkeit und Spannungsfestigkeit ...

Omron Electronic Components Europe hat sein Sortiment an MOSFET-Relais der G3VM-Serie weiter ausgebaut, die nun eine erhöhte Empfindlichkeit und eine höhere Spannungsfestigkeit bieten. Das neue G3VM-61VY4 erweitert das 60-V-SOP4-Relais auf einen Dauerlaststrom von 0,7 A bei einer Spannungsfestigkeit von 3750 Vrms, während das 350-V-Relais G3VM-35VY1 die Dauerlast auf 110 mA bei einer Spannungsfestigkeit von 3750 Vrms zwischen den E/A erhöht. Die neuesten Omron-Relais entsprechen dem SOP4-Sonderformat – 2,10 mm hoch, 3,7 mm breit und 7,0 mm lang. Sie verfügen über die gleiche Montagepad-Grundfläche wie die vorhandenen SOP4-Relais. Die Relais G3VM-61VY4 und G3VM-351VY1 sind ab sofort mit der Flexibilität kleiner Mindestbestellmengen ab 500 Stück pro Bandtyp und 125 Stück pro Stab erhältlich. Die hohe Spannungsfestigkeit der neuen Modelle unterstützt alle Anwendungen, die eine hohe Isolation zwischen Ein- und Ausgängen erfordern. Die hochempfindlichen G3VM-61VY4 und G3VM-351VY1 eignen sich besonders für Sensoranwendungen, beispielsweise zur Übertragung von Sensorsignalen und zur Ausgangssignalumschaltung von Steuergeräten in Sicherheitssystemen.

Die MOSFET-Relais sind branchenweit führend in der optischen Halbleitertechnologie und verwenden eine Eingangs-LED, ein Photodiode Dome Array (PDA) als Fotokoppler und einen MOSFET-Chip im Lastschaltstrom. Das MOSFET-Relais ist nicht nur wartungsfrei, sondern zeichnet sich auch durch einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb und eine kompakte Größe aus, was den Ersatz mechanischer Relais zusätzlich ermöglicht.

Beide neuen Modelle sorgen für eine weitere Senkung des Stromverbrauchs beim Einschalten und eine Reduzierung des Eingangsstroms um ein Drittel im Betrieb. Die MOSFET-Relais tragen zu kleineren und dichteren Geräten bei als gleichwertige mechanische Geräte. Im Vergleich zu Reed-Relais ist der Stromverbrauch am Eingang außergewöhnlich niedrig, was zusätzlich zur Energieeinsparung der Geräte beiträgt.